回旋振蕩器的霍爾效應是磁電效應的一種，這一現(xiàn)象是美國物理學家霍爾于1879年在研究金屬的導電機構(gòu)時發(fā)現(xiàn)的。當電流垂直于外磁場通過導體時，在導體的垂直于磁場和電流方向的兩個端面之間會出現(xiàn)電勢差，這一現(xiàn)象便是霍爾效應。這個電勢差也被叫做霍爾電勢差。
其實上面對
回旋振蕩器霍爾效應的介紹簡要的表明了霍爾效應的原理，詳細來說：在導體中，電子在電場作用下沿電流反方向運動，由于存在垂直于電流方向的磁場，電子受到洛倫茲力，產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)，偏轉(zhuǎn)的方向垂直于電流方向和磁場方向，而導體中運動的是電子（正電荷只是相對于電子而運動），所以實際上只有電子運動并偏轉(zhuǎn)，這樣就產(chǎn)生了電勢差，兩面有電壓。在半導體中，有兩種載流子（空穴與自由電子），而它們的偏轉(zhuǎn)方向是相同的，產(chǎn)生的電壓也只是多數(shù)載流子與少數(shù)載流子之差，即表現(xiàn)了多數(shù)載流子的效果。正是因為這樣，所以才能利用霍爾效應來判斷N、P型半導體。
